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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 400 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 3 伏 @ 2 安，8 安 电流 - 集电极截止（最大值） 100微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 5 @ 5A，5V 功率 - 最大 80 瓦 频率...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.3 欧姆 @ 4.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 58 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 四 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 400 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值） - 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 8 @ 2A，5V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 4兆赫 工作温度 -65℃～150℃（高温） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 195A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.7毫欧姆@195A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 162 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 700 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12.5A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 360 毫欧 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 150µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16.4 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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充电模块——线性充电。电流-1A可调。充电精度—1.5%。输入电压-4.5V-5.5V。充满电电压-4.2V。 LED 指示灯-红色表示充电，蓝色表示充满电。输入接口-mini USB。工作温度---10℃至+85℃。 反极性-NO
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 104A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8毫欧姆@54A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 130 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 64A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 14毫欧@32A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 81 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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该模块（MicroSD Card Adapter）是一款Micro SD卡读写模块，通过文件系统和SPI接口驱动，MCU完成对MicroSD卡文件系统的读写。用户可以直接使用IDE自带的SD卡完成对库卡的初始化和读写模块特点如下： 1.支持Micro SD卡、Micro SDHC卡（高速卡） 2.电平转换电路板，接口电平为5V或3.3V 3.供电电源为4.5V～5.5V，电路板稳压3.3V 4.通讯接口为标准SPI接口5.4个M2螺丝定位孔，方便安装 控制接口：共六个引脚（GND、VCC、MISO、MOSI、SCK、CS），GND接地，VCC是电源，MISO、MOSI、SCK是SPI总线，CS是片选信号引脚；3.3V稳压电路：LDO稳压输出为3.3V电平转换芯片，给Micro SD卡供电；电平转换电路：将Micro SD卡插入的方向信号转换为3.3V，MicroSD卡接口控制的MISO方向信号也转换为3.3V，一般的AVR单片机系统都可以读取该信号；Micro SD卡接口：自带弹卡座，方便卡插入。定位孔：4个M2螺丝定位孔直径为2.2mm，方便模块的定位安装，实现模块间的组合
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 49A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 17.5毫欧姆@25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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对于没有模拟数字转换器的微控制器或当您需要更高精度的 ADC 时，ADS1115 可通过 I2C 以每秒 860 个样本的速度提供 16 位精度。该芯片可配置为 4 个单端输入通道或两个差分通道。作为一项不错的奖励，它甚至包括一个可编程增益放大器（最高可达 x16），以帮助将较小的单/差分信号提升到全范围。我们喜欢这款 ADC，因为它可以在 2V 到 5V 的电源/逻辑下运行，可以测量大范围的信号，而且使用起来非常简单。它是一款出色的通用 16 位转换器。该芯片相当小，因此它安装在带有铁氧体的接线板上，以保持 AVDD 和 AGND 安静。接口通过 I2C 完成。地址可以更改为四个选项之一（参见数据表表 5），因此您可以在单个 2 线 I2C 总线上连接最多 4 个 ADS1115，以实现 16 个单端输入。宽电源范围：2.0V 至 5.5V低电流消耗：连续模式：仅 150A 单次模式：自动关机 可编程数据速率：8SPS 至 860SPS内部低漂移电压基准内部振荡器内部 PGA...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 29A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 40 毫欧 @ 16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 34 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 70 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5A、10V 时为 380 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 17 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 150 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 35A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 39毫欧姆@21A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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