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包装清单 | 10件 |
场效应晶体管类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压 (Vdss) | 40 伏 |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 195A(锝) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 4.5伏、10伏 |
Rds On(最大值)@ Id、Vgs | 1.7毫欧姆@195A,10V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 4.5 V 时为 162 纳克 |
电压 (最大值) | ±20V |
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 10315 pF(25 V 时) |
场效应晶体管特性 | - |
功率耗散(最大) | 375瓦(热电阻) |
工作温度 | -55℃~175℃(高温) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/箱体 | TO-220-3 |
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另请注意,我们销售的许多商品的运费都是基于重量的。任何此类商品的重量都可以在其详细信息页面上找到。为了反映我们使用的运输公司的政策,所有重量都将四舍五入到下一个整磅。
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