分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT
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包装清单 5件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 360 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 220 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，50A 功率 - 最大 125 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 47 纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 + 接片），SC-63...
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包装清单 5件 IGBT类型 《不扩散核武器条约》 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 1200 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 6.2 一个 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 9.6 一个 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 3.6V @ 15V，2A 功率 - 最大 62 瓦 转换能源 220微焦耳 输入类型 标准 栅极电荷 11纳克 Td（开/关）@25°C 23纳秒/260纳秒 测试条件 800V，2A，91欧姆，15V 工作温度 -55℃～150℃（温度范围） 安装类型 表面贴装...
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包装清单 5件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 600 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二十 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 2.5V @ 15V，10A 功率 - 最大 30 瓦 转换能源 100µJ（开启），130µJ（关闭） 输入类型 标准 栅极电荷 13 纳克 Td（开/关）@25°C 30纳秒/42纳秒 测试条件 300V，10A，5欧姆，15V 反向恢复时间 (trr) 70纳秒 工作温度 150°C（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3...
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包装清单 10件 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 600 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 十四 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 二十 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，5A 功率 - 最大 31.2 瓦 转换能源 140µJ（开启），40µJ（关闭） 输入类型 标准 栅极电荷 9.4纳克 Td（开/关）@25°C 12纳秒/83纳秒 测试条件 400V，5A，60欧姆，15V 反向恢复时间 (trr) 98纳秒 工作温度 -55℃～150℃（温度范围） 安装类型 通孔...
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包装清单 10件 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 500 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 10 伏@12 伏，300 安 功率 - 最大 45 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 Td（开/关）@25°C 100纳秒/200纳秒 测试条件 300V，300A，30欧姆，12V 工作温度 -40℃～150℃（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220FL
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包装清单 10件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 330 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V@15V，70A 功率 - 最大 30.5 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 60纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220F-3
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包装清单 10件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 330 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 200 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，50A 功率 - 最大 28.4 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 44 纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220F-3
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包装清单 件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 360 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 220 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，50A 功率 - 最大 28.4 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 47 纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220F-3
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包装清单 5件 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 600 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 40 一 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 2.6V @ 15V，20A 功率 - 最大 160 瓦 转换能源 160µJ（开启），200µJ（关闭） 输入类型 标准 栅极电荷 97 纳克 Td（开/关）@25°C 15纳秒/65纳秒 测试条件 300V，20A，10欧姆，15V 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体...
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