分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（高温） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.5欧姆@2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 29 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 40伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 12nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 415pF @...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5毫欧姆@20A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.6V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 43 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 80伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.6A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.2A、10V 时为 73 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 23nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6伏、20伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.2毫欧姆@15A，20V Vgs(th)（最大值）@Id 2.6V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 57 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5毫欧姆@18A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 85 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 34 毫欧 @ 7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.8A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 8.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 漏源电压 (Vdss) 30伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.3A（电流值） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.3A、10V 时为 41 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 12nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 504pF @ 15V 功率 - 最大 2W（钽） 工作温度...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 175毫欧姆@6.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.4A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 155毫欧姆@5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 110 毫欧 @ 9.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 32 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 115 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 44 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16.8 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.15 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 85A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4毫欧@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 76 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（Ta），30A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 24 毫欧 @ 20 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 34 纳克 电压...
- $1.15 USD
$0.00 USD- $1.15 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta），32A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 37 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.7V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 44 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（Ta），58A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9毫欧@35A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 31 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.15 USD
$0.00 USD- $1.15 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 105 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 28 毫欧 @ 20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 46 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A（Ta），54A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 7伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 21毫欧@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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