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特征： 100％全新卡片上有三盏灯迷你 LED 夜灯，适合露营、桌面照明0.2W超低功率输出，2835芯片LED，长时间照明，无散热。 5000mAh移动电源，可持续点亮100小时。双面USB设计，均可插拔可以放入钱包，也可以挂在钥匙上，非常便携。尺寸：24*12*2mm
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 65A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 24 毫欧 @ 46A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 98 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.8A、10V 时为 400 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 300µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 32 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20.2A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 7.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 630µ 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 37 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120安培（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.5毫欧姆@75A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 210 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 500 毫欧 @ 6.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 44 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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描述： 100% 全新，高品质类型：DC/DC恒流/恒压尺寸：（长*宽*高）4.80*2.40*1.4cm/1.89"*0.94"*0.55"输入电压：5V-57V输入电压必须比输出电压高2V输出电流：额定电流 2.5A/ 3A MAX（需散热器）输出电压：1.25-30V（可调）输出功率：最大电压时最大 15W输出短路保护：有，恒流（恒流设定值）输入反极性保护：有，恒流范围：0.2-3A（可调，默认调1A）转灯电流：恒流值*（0.1），转灯电流恒流值联动好处：输出电压无级调节输出电流无级调节LED 指示灯，负载下为红色 / 空载时为绿色长寿命多圈电位器输入和输出电压之间相差高达 1.5V（典型值 1.16V）高达 2.5A 的输出电流空闲时功耗极低，约 10mA (0.01)温度保护 输入电压至60V输出电压稳定性高高效率无需额外冷却至 2.2A高频DC/DC转换，使设备尺寸减小应用：适用于1.23V~28V范围内所有电池的充电器，仅需设置精确的电池电压和充电电流车载使用转化率高可调实验室电压源恒流 LED 驱动器调光设备实验室电源
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 800 毫欧 @ 3.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 29 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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描述： MAX6675是美国MAXIM公司生产的具有冷端补偿、线性校正、热电偶断线检测ADC的串行K型热电偶，其温度分辨能力为0.25度，冷端补偿范围-20～+80度，宽工作电压范围3.0～5.5V工作电压：3.0～5.5V内部集成冷端补偿电路；具有简单的三串行接口；温度信号可转换成12位数字温度分辨率：0。25度；冷端补偿范围：-20～+80度，嵌入式热电偶断线检测电路。使用 SPI 3 线通信K型温度探头K型温度范围0-800度
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 23A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 117 毫欧 @ 11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 97 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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描述11 个数字输入/输出引脚，所有引脚均支持中断/pwm/I2C/单线（D0 除外） 1 个模拟输入（最大输入 3.3V） Micro USB 连接套餐包括1套WeMos D1 Mini WIFI开发板
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 14A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 200 毫欧 @ 8.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 58 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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