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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 24A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 180 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 74A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 38A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 180 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 57A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 23 毫欧 @ 28 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 130 纳克 电压...
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ESP32 ESP32S 适用于 Wemos 适用于 Raspberry Pi 18650 电池充电屏蔽板 V3 Micro USB 端口 Type-A USB 0.5A 适用于 Arduino 充电特征：电池保护（过充或过放） Micro USB 端口输入A 型 USB 输出0.5A电流充电1个开关控制USB输出5~8V输入电压3V 和 1A 输出5V 和 2A 输出LED 指示（绿色表示充满，红色表示充电） 3V输出端口x3 5V输出端口x3注意“+”和“-”，应按照PCB上“+”“-”的方向进行操作。 如果放错方向，充电芯片将被毁坏。本产品不含18650电池
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 360 毫伏@300 毫安，6 安 电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 270 毫安，2 伏 功率 - 最大 2 瓦 频率...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 150 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 43A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 42毫欧@22A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 200 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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这款小型蓝牙 4.0 TTL 收发器模块允许您的目标设备进行通信。您的 iPhone/iPAD、IOS 6 或 Android 4.3 以上设备。它易于使用并且完全封装。您可以将其设置为从属或主属。您可以使用AT命令设置波特率。规格：超低待机功耗90uA~400uA覆盖范围可达 60 米内置 PCB 天线电源输入：3.6V-6V DC（不能高于6V）尺寸：43毫米 x 15毫米颜色：蓝色净重：4g
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 82A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 13毫欧@43A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 160 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 十五 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 400 毫伏@375 毫安，7.5 安 电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 330 毫安，2 伏 功率 - 最大 2 瓦 频率...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 130A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7.8毫欧姆@78A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 250 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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使用此以太网扩展板，您的 Arduino Nano 开发板可用于连接互联网控制器：Microchip 的 ENC28J60 以太网/HR911105A可作为服务器或客户端使用，配备高效的库和示例，直接插入拼图板，无需焊接。
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 500mV@300mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 150 @ 270mA，2伏 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 230兆赫 工作温度 150°C（高温）...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 202A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 4毫欧@121A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 196 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二十 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 500mV@350mA，7A 电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 150 @ 1A，2V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 140兆赫 工作温度 150°C（高温）...
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特征： 100% 全新，高品质采用专用基准IC，配合高精度电流检测电阻，可使恒流源更加稳定输出电流大，最大输出电流可达9A。 低输出纹波，高频电容降低输出纹波。适用于 LED 驱动器。规格：材质：PCB板及电子元件颜色：如图所示输入电压：5-40V输出电压：1.2-35V（连续可调）输出电流：9A（功率管温度超过65℃请加冷却风扇）恒流范围：0.2-9A（可调）输出功率：最大功率约300W（功率管温度超过65℃请加冷却风扇）尺寸：约 2.55*1.88*0.94 英寸 / 6.5*4.8*2.4厘米（长*宽*厚）套餐包括： 1 件 DC CC 9A 300W 降压转换器 5-40V 至 1.2-35V 电源模块
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