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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.8A、10V 时为 850 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5欧姆@2.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 十二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 300 毫安、6 安时为 350 毫伏 电流 - 集电极截止（最大值） 100µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 50 @ 6A，1V 功率 - 最大 35 瓦 频率 - 过渡...
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描述： 1、9轴模块（3轴陀螺仪+3轴加速度计+3轴磁场） 2. 沉金PCB工艺3、芯片：ITG3205+ADXL345+HMC5883L 4.电源：3-5V 5.通讯：IIC通讯协议（完全兼容3-5v系统，内含LLC电路） 6.尺寸：2.2cm * 1.7cm
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1欧姆@3.3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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描述：适用于 ATtiny13A/ATtiny25/ATtiny45/ATtiny85 编辑器的可插拔开发板1.可插拔开发板ATtiny13A/ATtiny25编程器/ATtiny45/ATtiny85编程器2.开发板烧写ATtiny13A/ATtiny25/ATtiny45/ATtiny85均可插开发板3.编程方便快捷4.开发板支持芯片ATtiny13A/ATtiny25/ATtiny45/ATtiny85等。套餐包括： 1 件 * 适用于 ATtiny13A/ATtiny25/ATtiny85/ATtiny45 的开发编程器板
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11A、10V 时为 150 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 67 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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描述： DAC 模块为 Raspberry Pi 提供了超级实惠的高品质 DAC。由于是数字音频，所以音质非常好，比板载模拟音频好得多。立体声插孔已焊接到板上。特征：线路输出立体声插孔pHAT 格式板使用 PCM5102A DAC 与 Raspberry Pi I2S 接口配合使用规格：类型：I2S DAC解码器型号：PCM5102应用：影音接收器DVD、BD 播放器高清电视接收器应用程序需要 2VRMS 音频输出包装包括： 1x I2S PCM5102 DAC解码器
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） - 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 15A 时 850 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100V 时 1 毫安...
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