分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏、20伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6毫欧姆@20A，20V Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 120 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 75 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 26A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 40 毫欧 @ 20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 54 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 86A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.8毫欧姆@25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 23 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12A、10V 时为 115 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 161A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 3.3毫欧@15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50 纳克 @ 4.5 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100mA（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8欧姆@10毫安，4伏 Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 100µA 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 13 pF @ 5 V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大）...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 110 毫欧 @ 2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 7 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 34 毫欧 @ 5.1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±12V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5A、10V 时为 234 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.9V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10.4 纳克@10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.25A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 340 毫欧 @ 1.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA（最小值） 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 115 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7.5欧姆@500mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50 pF @ 25 V 场效应晶体管特性 -...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.8A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.6A、4.5V 时为 85 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 8.5 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容...
- $1.53 USD
$0.00 USD- $1.53 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.3A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 54毫欧姆@4.3A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.1V @ 10µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 6.9 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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$0.00 USD- $1.25 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.7A、4.5V 时为 39 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±8V...
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$0.00 USD- $0.83 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 630 毫欧 @ 1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.9V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 6 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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$0.00 USD- $1.20 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.3A、10V 时为 42 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 9 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.65 USD
$0.00 USD- $1.65 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧姆@4.2A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 6.2 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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$0.00 USD- $1.78 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.1A、4.5V 时为 46 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1.1V @ 5微安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 3.5 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容...
- $2.91 USD
$0.00 USD- $2.91 USD
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