分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 92毫欧姆@2.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 25µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 2.5 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
- $1.64 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 250毫欧@910毫安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 5 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 80 毫欧 @ 2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 9 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 92毫欧@2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 6.6 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 零件状态 过时的 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 50 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 173 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15欧姆@100mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1伏@1毫安 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 10V 时为 25pF 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大） 830毫瓦（温度系数）...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.1A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 160 毫欧 @ 2.1A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 3.3 纳克 电压 (最大值) ±12V...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.7V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 250毫欧@930毫安，4.5伏 Vgs(th)（最大值）@Id 700mV @ 250µA（最小值） 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 3.9 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 98毫欧@3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.6A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 115毫欧@2.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 7.2 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 50 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 130 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8欧姆@150mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 1.3 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.2A、10V 时为 78 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.45 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 40毫欧@4.2A，4.5V 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 10.6 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 15 V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.9A、10V 时为 156 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 6.8 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.16A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧姆@2.5A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 4.5 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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$0.00 USD- $1.53 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 50 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 200 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.5欧姆@200mA，5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V@1mA 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50 pF @ 25 V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大） 225毫瓦（功耗）...
- $0.95 USD
$0.00 USD- $0.95 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 1.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 4 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.45 USD
$0.00 USD- $1.45 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 55毫欧@4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.34 纳克 @ 4.5 伏 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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$0.00 USD- $1.40 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.6A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.5A、10V 时为 70 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 4 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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$0.00 USD- $1.45 USD
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、4.5V 时为 22 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±8V...
- $1.45 USD
$0.00 USD- $1.45 USD
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