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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（高温） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.5欧姆@2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 29 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装包括：10 个保险丝；10 个保险丝座
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包装清单 5件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 5.5伏 电压 - 输入（最大） 36伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.222伏 电压 - 输出（最大） 26伏 电流 - 输出 5A 频率 - 切换 500千赫 同步整流器 不 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 5件 放大器类型 零点漂移 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 0.4伏/微秒 增益带宽积 1.5兆赫 电流 - 输入偏置 10 帕 电压 - 输入失调 1 微伏 供电 850µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 30 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.7 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5 伏 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装...
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包装清单 5件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 2.5伏 电流 - 输出 30 毫安 宽容 ±0.4% 温度系数 25 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 峰值 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 3V～15V 供电 45微安 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 5件 放大器类型 CMOS，零漂移 电路数量 2 输出类型 轨对轨 转换速率 0.16伏/微秒 增益带宽积 350千赫 电流 - 输入偏置 70 帕 电压 - 输入失调 2微伏 供电 17µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 5 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 1.8 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5.5 伏 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪光 内存大小 4兆位 记忆组织 512K x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 104兆赫 写入周期时间 - 字、页 800微秒 电压 - 电源 2.3V～3.6V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 类型 收发器 协议 CAN总线 驱动器/接收器数量 1/1 双面打印 一半 接收器迟滞 125 毫伏 数据速率 - 电压 - 电源 4.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 类型 收发器 协议 RS422，RS485 驱动器/接收器数量 1/1 双面打印 一半 接收器迟滞 35 毫伏 数据速率 1Mbps 电压 - 电源 3V～3.6V 工作温度 0℃～70℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 类型 555 型定时器/振荡器（单） 数数 - 频率 500千赫 电压 - 电源 3V～16V 供电 180 微安 工作温度 0℃～70℃ 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-硫酸盐 安装类型 表面贴装
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪存 - NOR 内存大小 8兆位 记忆组织 1 米 x 8 内存接口 串行外设接口 时钟频率 75兆赫 写入周期时间 - 字、页 15毫秒，5毫秒 电压 - 电源 2.7V~3.6V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.209 英寸，5.30 毫米宽） 供应商器件封装 8-硫代硫酸盐
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包装清单 10件 放大器类型 一般用途 电路数量 2 输出类型 - 转换速率 0.5伏/微秒 增益带宽积 1兆赫 电流 - 输入偏置 20纳安 电压 - 输入失调 500微伏 供电 150µA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 40 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 3 伏 电压 - 电源跨度（最大） 三十六 五 工作温度 -40℃～105℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 10件 技术 MOSFET（金属氧化物） 配置 2 个 N 通道（双） 场效应晶体管特性 逻辑电平门 漏源电压 (Vdss) 40伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10V 时为 12nC 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 415pF @...
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包装清单 5件 放大器类型 仪器仪表 电路数量 1 输出类型 - 转换速率 0.4伏/微秒 -3db带宽 200千赫 电流 - 输入偏置 10纳安 电压 - 输入失调 150 微伏 供电 175微安 电流 - 输出/通道 10 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 2.7 伏 电压 - 电源跨度（最大） 三十六 五 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 5件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 4.5伏 电压 - 输入（最大） 50伏 电压 - 输出（最小/固定） 0.8伏 电压 - 输出（最大） 47伏 电流 - 输出 2.5A 频率 - 切换 高达 4MHz 同步整流器 不 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 64千位 记忆组织 8K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 1兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 450 纳秒 电压 - 电源 1.8V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 4.096伏 电流 - 输出 10 毫安 宽容 ±0.1% 温度系数 8 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 12µVpp/V 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 4.296V~18V 供电 1.2毫安 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 5件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 10伏 电流 - 输出 10 毫安 宽容 ±0.05% 温度系数 3 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 30µVpp/伏 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 10.2V～18V 供电 1.2毫安 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）...
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包装清单 5件 通道数 2 电压 - 隔离 3000Vrms 电流传输比（最小值） 50% @ 5mA 电流传输比（最大） 600% @ 5mA 开启/关闭时间（典型值） 3微秒，3微秒 上升/下降时间（典型值） 2微秒，3微秒 输入类型 直流 输出类型 晶体管 电压 - 输出（最大） 80伏 电流 - 输出/通道 50毫安 电压 - 正向 (Vf) （典型值） 1.2伏 电流 - 直流正向 (If) (最大值) 50...
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