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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（Ta），50A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.6V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 33 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2欧姆@2安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 晶体管类型 NPN——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 4 伏 @ 80 毫安，8 安 电流 - 集电极截止（最大值） 10微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 4A、4V 时为 1000 功率 - 最大 20 瓦 频率...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 80 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值） 1微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 40 @ 4A，1V 功率 - 最大 1.75 瓦 频率 - 过渡 85兆赫 工作温度 -55℃～150℃（高温）...
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包装清单 5件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 8 伏 @ 3.3 安，10 安 电流 - 集电极截止（最大值） 50微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 20 @ 4安，4伏 功率 - 最大 1.75 瓦 频率...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 600 毫欧 @ 2.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 23 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 46 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（Ta），46A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5毫欧姆@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 6.5 毫安 电源抑制比 83分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 42A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 13.5毫欧姆@36A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 35 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 可调节的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.2伏 电压 - 输出（最大） 37伏 电压降（最大） - 电流 - 输出 500毫安 静态电流 (Iq) 10 毫安 电源抑制比 80分贝～65分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 0℃～125℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 55A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 19毫欧@33A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50 纳克 @ 4.5 伏 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 56A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 47A、10V 时为 8.4 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 69 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -12 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.1V @ 500mA（典型值） 电流 - 输出 500毫安 电源抑制比 60分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 105毫欧@10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 34 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） - 电流 - 输出 500毫安 静态电流 (Iq) 6 毫安 电源抑制比 62分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 0℃～150℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
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$0.00 USD- $1.37 USD
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包装清单 5件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 六 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.5V @ 600mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值） 50微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 15 @ 3A，4V 功率 - 最大 1.75 瓦 频率 - 过渡 3兆赫 工作温度...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧@17A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 165 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 86A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5毫欧姆@15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.25V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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