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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏、20伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6毫欧姆@20A，20V Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 120 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 75 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 12伏 电压 - 输出（最小/固定） 3.3伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.3V @ 1A 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 10 毫安 电源抑制比 75分贝（120赫兹） 控制功能 电流限制 保护功能 过温 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 12伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.3V @ 1A 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 10 毫安 电源抑制比 75分贝（120赫兹） 控制功能 电流限制 保护功能 过温 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 可调节的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 12伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.25伏 电压 - 输出（最大） 10.8伏 电压降（最大） 1.3V @ 1A 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 10 毫安 电源抑制比 75分贝（120赫兹） 控制功能 电流限制 保护功能 过温 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 26A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 40 毫欧 @ 20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 54 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 86A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.8毫欧姆@25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 23 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12A、10V 时为 115 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 12伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） - 电流 - 输出 500毫安 电流 - 静态 (Iq) 6 毫安 电源抑制比 55分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1.5A 电流 - 静态 (Iq) 8 毫安 电源抑制比 62分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 161A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 3.3毫欧@15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 50 纳克 @ 4.5 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 电压 - 齐纳 (标称) (Vz) 3 伏 宽容 ±6.67％ 功率 - 最大 300 毫瓦 阻抗（最大） (Zzt) 95 欧姆 电流 - 反向漏电流@Vr 10 µA（1 V 时） 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 900 毫伏 @ 10 毫安 工作温度 -65℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 50件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 6伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 0.86V@60mA 电流 - 输出 60毫安 电流 - 静态 (Iq) 3 微安 电源抑制比 - 控制功能 - 保护功能 过电流 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3...
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包装清单 50件 二极管配置 1 对串联连接 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 70 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 215毫安（直流） 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.25 伏 @ 150 毫安 速度 标准恢复 >500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr) 3微秒 电流 - 反向漏电流@Vr 5纳安@70伏...
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包装清单 50件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 30伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.7V@40mA 电流 - 输出 100毫安 电流 - 静态 (Iq) 5.5 毫安 电源抑制比 49分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 -20℃～120℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 25伏 频率 - 过渡 650兆赫 噪声系数 (dB 典型值 @ f) - 获得 - 功率 - 最大 225毫瓦 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 60 @ 4 毫安，10 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 50毫安 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100mA（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8欧姆@10毫安，4伏 Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 100µA 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 13 pF @ 5 V 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大）...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 150 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 250mV@10mA、100mA 电流 - 集电极截止（最大值） 100纳安（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 70 @ 2 毫安，6 伏 功率 - 最大 150 毫瓦 频率 - 过渡 80兆赫...
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包装清单 5件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 2.048伏 电流 - 输出 25 毫安 宽容 ±2％ 温度系数 100 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 峰值 噪音 - 10Hz 至 10kHz 65µVrms 电压 - 输入 2.098V~5.5V 供电 59微安 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3...
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