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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 44毫欧@12A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 21 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A（Ta），53A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 7伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15.5毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 34 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 12伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） - 电流 - 输出 500毫安 电源抑制比 80分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装 磷酸二氢钾
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包装清单 5件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 60 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 3A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 3A 时 700 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 60V 时为 100µA 工作温度...
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 40伏 电压 - 输出（最小/固定） 24伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） - 电流 - 输出 500毫安 静态电流 (Iq) 6 毫安 电源抑制比 50分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
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包装清单 5件 二极管配置 1 对共阴极 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 200 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 6A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 3A 时 950 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr) 35纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr 200V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 150 毫欧 @ 7.5A，5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta），66A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8毫欧@15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 22 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 480 毫欧 @ 3.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 27 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 55 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 42A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 27 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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包装清单 5件 IGBT类型 《不扩散核武器条约》 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 1200 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 6.2 一个 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 9.6 一个 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 3.6V @ 15V，2A 功率 - 最大 62 瓦 转换能源 220微焦耳 输入类型 标准 栅极电荷 11纳克 Td（开/关）@25°C 23纳秒/260纳秒 测试条件 800V，2A，91欧姆，15V 工作温度 -55℃～150℃（温度范围） 安装类型 表面贴装...
- $6.92 USD
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包装清单 5件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 八 一 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 65A、71A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 20 毫安...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.9A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.7欧姆@950mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $0.89 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 44A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 27 毫欧 @ 26 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 65 纳克 电压...
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$0.00 USD- $1.18 USD
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包装清单 5件 晶体管类型 PNP——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 4 伏 @ 80 毫安，8 安 电流 - 集电极截止（最大值） 10微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 4A、4V 时为 1000 功率 - 最大 1.75 瓦 频率...
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$0.00 USD- $0.87 USD
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包装清单 5件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 15伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） - 电流 - 输出 500毫安 静态电流 (Iq) 6 毫安 电源抑制比 54分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
- $0.86 USD
$0.00 USD- $0.86 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.8A（Ta），45A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、11.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12毫欧@30A，11.5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 11.5 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.10 USD
$0.00 USD- $1.10 USD
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包装清单 5件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 800 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 八 一 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 65A、71A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 20 毫安...
- $1.28 USD
$0.00 USD- $1.28 USD
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包装清单 5件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 四 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 25A、27A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 5 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 10 毫安 配置...
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