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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 180 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、20伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 130 毫欧 @ 5A，20V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 6.5 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10.5A（Ta），46A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 8.5毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 150 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta）、19A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 85 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 22 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 30 毫欧 @ 12A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10.8 纳克@10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 5件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 500mV@200mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值） 1µA（导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 140 @ 500mA，2V 功率 - 最大 1 瓦 频率 - 过渡 130兆赫 工作温度 150°C（高温）...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta），35A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15毫欧@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.7V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta）、14A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 68 毫欧 @ 5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.9V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 纳克@10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 14A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 280 毫欧 @ 7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 45 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 20A 时 840 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 45 V 时 100 µA 电容@Vr，F - 安装类型...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.4A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 210 毫欧 @ 5.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta），46A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10.7 毫欧姆 @ 20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta）、12A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 12A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 纳克@10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13.5A（Ta），36A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7.5毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 22A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3毫欧@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 49 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 24 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 80安培（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.8毫欧姆@80A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 42 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 四 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 400 毫伏 @ 200 毫安，2 安 电流 - 集电极截止（最大值） 1µA（导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 500mA，5伏 功率 - 最大 1 瓦 频率 -...
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包装清单 5件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 360 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 220 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，50A 功率 - 最大 125 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 47 纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 + 接片），SC-63...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（Ta）、37A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 20 毫欧 @ 20 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 2.7V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 68 纳克 电压...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A（Ta），11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 140 毫欧 @ 4.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 13 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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