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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 2K位 记忆组织 256 x 8 内存接口 I2C 时钟频率 1兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 550 纳秒 电压 - 电源 1.7V～5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 引用类型 分流器 输出类型 可调节的 电压 - 输出（最小/固定） 2.495伏 电压 - 输出（最大） 三十六 五 电流 - 输出 100 毫安 宽容 ±2.21％ 温度系数 - 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 - 供电 - 电流 -...
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包装清单 10件 类型 一般用途 元素数量 2 输出类型 开集电极，轨到轨 电压 - 电源，单/双 (±) 2V～36V,±1V～18V 电压 - 输入偏移（最大值） 5毫伏@30伏 电流 - 输入偏置（最大值） 5V 时为 0.25µA 电流 - 输出（典型值） 20毫安 电流 - 静态（最大） 2.5毫安 CMRR、PSRR（典型值） - 传播延迟（最大） - 滞后 - 工作温度 0℃～70℃ 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 安装类型...
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包装清单 5件 内存类型 非挥发性 内存格式 电可擦除只读存储器 技术 电可擦除只读存储器 内存大小 512千位 记忆组织 64K x 8 内存接口 I2C 时钟频率 1兆赫 写入周期时间 - 字、页 5毫秒 访问时间 550 纳秒 电压 - 电源 2.5V ～ 5.5V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 175毫欧姆@6.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.4A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 155毫欧姆@5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 三十二 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 200 毫安、2 安时为 800 毫伏 电流 - 集电极截止（最大值） 1µA（导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 120 @ 500mA，3V 功率 - 最大 10 瓦 频率 - 过渡...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 110 毫欧 @ 9.6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 32 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 115 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 44 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -5 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 1.1V @ 500mA（典型值） 电流 - 输出 500毫安 电源抑制比 66分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-252-3，DPAK（2 引线 +...
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包装清单 5件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 80 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@400mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值） 1微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 40 @ 4A，1V 功率 - 最大 1.75 瓦 频率 - 过渡 90兆赫 工作温度 -55℃～150℃（高温）...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 25 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11毫欧姆@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16.8 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 85A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4毫欧@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 76 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（Ta），30A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 24 毫欧 @ 20 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 34 纳克 电压...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta），32A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 37 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.7V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 44 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（Ta），58A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9毫欧@35A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 31 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 105 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 28 毫欧 @ 20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 46 纳克 电压 (最大值) ±25V...
- $1.06 USD
$0.00 USD- $1.06 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A（Ta），54A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 7伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 21毫欧@20A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $1.34 USD
$0.00 USD- $1.34 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 150 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta）、20A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 7伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 94 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.6V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $1.24 USD
$0.00 USD- $1.24 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta）、18A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18A、10V 时为 105 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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