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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 七 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 200 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值） 5毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce - 功率 - 最大 60 瓦 频率 - 过渡 10兆赫 工作温度 150°C（高温） 安装类型 通孔...
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包装清单 10件 电压 - 关闭状态 800 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 32 毫安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.75 伏 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大值） 十三 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 二十 一 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 60...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 480 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 56 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 电压 - 关闭状态 650 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 32 毫安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.75 伏 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大值） 十三 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 二十 一 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 60...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.8A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.9A、10V 时为 700 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 54 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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支持 rduino IDE 1.0+ (OSX/Win/Linux)通过 USB 或外部电源供电 - 5v 或 7-35v（自动选择）板载 500ma 5V 调节器内置 USB（和串行调试） 6 个 I/O 引脚（仅当您的程序通过 USB 主动通信时才使用 2 个用于 USB，否则即使您通过 USB 编程也可以使用全部 6 个） 8k 闪存（引导加载程序后约 6k） I2C 和 SPI (参见 USI) 3 个引脚上的 PWM（使用软件 PWM 可以实现更多功能） 4 个引脚上的 ADC电源...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.75A、10V 时为 730 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 57 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 电压 - 关闭状态 500 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 32 毫安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.75 伏 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大值） 十三 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 二十 一 电流 - 保持 (Ih) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.4 欧姆 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 58 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 电压 - 关闭状态 500 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 15 毫安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.75 伏 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大值） 7.5 一个 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十二 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 20...
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描述：支持硬连线 TCP/IP 协议：TCP、UDP、ICMP、IPv4、ARP、IGMP、PPPoE同时支持8个独立插座支持掉电模式支持通过 UDP 进行 LAN 唤醒支持高速串行外设接口（SPI 模式 0、3）内部 32K 字节存储器用于 TX/RX 缓冲器嵌入 10BaseT/100BaseTX 以太网 PHY 支持自动协商（全双工和半双工，基于 10 和 100）不支持 IP 分片3.3V 操作，5V I/O 信号容差LED 输出（全双工/半双工、链接、速度、活动） 48 针 LQFP 无铅封装（7x7mm，0.5mm 间距）规格：芯片类型：W5500支持 3.3V 和 5V。硬连线 TCP/IP 协议：TCP、UDP、ICMP、IPv4、ARP、IGMP、PPPoE嵌入 10BaseT/100BaseTX 以太网 PHY支持自动应答（全双工/半双工模式）同时支持8个独立插座内部 32K 字节内存用于 Tx/Rx 缓冲器关机模式：支持网络唤醒：支持SPI接口（SPI MODE...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 36 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 800 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十二 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 90安培、100安培 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 30 毫安 配置...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.8A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5欧姆@1.9安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 52 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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