全部
Filter
2691 results
20
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 50
日期,从新到旧
- 特色
- 畅销
- 按字母顺序排序,A-Z
- 按字母顺序排序,Z-A
- 价格,从低到高
- 价格,从高到低
- 日期,从旧到新
- 日期,从新到旧
Sort
Sort by:
- 特色
- 畅销
- 按字母顺序排序,A-Z
- 按字母顺序排序,Z-A
- 价格,从低到高
- 价格,从高到低
- 日期,从旧到新
- 日期,从新到旧
-
包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 800 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 八 一 电压 - 门极触发 (Vgt)(最大值) 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 65A、71A 电流 - 门极触发 (Igt)(最大值) 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)(最大值) 20 毫安...
- $2.39 USD
$0.00 USD- $2.39 USD
- Unit price
- / per
-
- From $18.56 USD
$0.00 USD- From $18.56 USD
- Unit price
- / per
-
描述:全新、高品质。重量:25克电缆长度:150cm只需将绑带缠绕在手腕上并夹在接地电源上即可防止干燥环境中的静电冲击防止静电损坏电子零件和设备带鳄鱼夹头的可调节腕带内导电层由不锈钢壳丝制成耐用的聚氨酯涂层线圈线。 高品质应力消除。柔软的松紧带,穿着舒适。限流电阻1M欧姆±5%电散射时间0.1秒耐冲洗无品牌、无零售包装
- $1.36 USD
$0.00 USD- $1.36 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.5A(温度系数) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 2欧姆@2.75A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.90 USD
$0.00 USD- $2.90 USD
- Unit price
- / per
-
-
描述: 1.14-37寸LED背光灯驱动板恒流板2.BOOST结构,转换效率达到92%以上 3.设备发热量低,稳定性高,使用寿命更长4.PCB体积小,超薄设计,电流控制误差±5%以内5.本产品为恒流板,电压自动适应规格:背光源常见电子符号代码: VCC:电源正极,电路供电电压(电压通常为12V或24V) ON/OFF,ON,EN,ON_BL:开关信号引脚PWM、PDIM、VDAJ、BL-PWM:亮度调节引脚GND:地(负极) LED+:发光二极管(灯)正极LED-:发光二极管(灯)负极温升控制在25度左右(温升=器件表面温度-环境温度)限制参数:当输入为 24V 时:Vout = 75V Iout= 720mA 最大或 60W当输入为 12V 时:Vout = 75V Iout = 400mA 最大或 30W可以使用12V电源,降低系统成本温馨提示 极限参数是指产品在应用过程中所能承受的最大容量,实际使用时请在极限参数范围内以确保产品的可靠性。 PCB尺寸:约6.80*3.0cm/2.68"*1.18"笔记:尺寸为手工测量,可能存在0至2cm的误差,属于正常现象。并且由于不同显示器之间的差异,图片可能无法反映物品的实际颜色。谢谢!套餐包括: 1 件 * 14-37 英寸 LED 灯驱动板升压液晶电视恒流背光
- $2.78 USD
$0.00 USD- $2.78 USD
- Unit price
- / per
-
10 件 PIC16F84-10/SO PIC16F627-04/SO PIC16F627-20/SO PIC16F628-04I/SO PIC16F628-20I/SO SOP-18 MCU 芯片组
- From $25.31 USD
$0.00 USD- From $25.31 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A(温度系数) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 2.5欧姆@2.25A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.65 USD
$0.00 USD- $2.65 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A(温度系数) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 3.3 欧姆 @ 1.25A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.32 USD
$0.00 USD- $3.32 USD
- Unit price
- / per
-
- From $24.47 USD
$0.00 USD- From $24.47 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 八 一 电压 - 门极触发 (Vgt)(最大值) 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 65A、71A 电流 - 门极触发 (Igt)(最大值) 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)(最大值) 20 毫安...
- $2.48 USD
$0.00 USD- $2.48 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 800 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 四 电压 - 门极触发 (Vgt)(最大值) 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 25A、27A 电流 - 门极触发 (Igt)(最大值) 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)(最大值) 15 毫安 配置...
- $2.39 USD
$0.00 USD- $2.39 USD
- Unit price
- / per
-
-
包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 四 电压 - 门极触发 (Vgt)(最大值) 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 25A、27A 电流 - 门极触发 (Igt)(最大值) 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)(最大值) 15 毫安 配置...
- $2.22 USD
$0.00 USD- $2.22 USD
- Unit price
- / per
-
- From $21.94 USD
$0.00 USD- From $21.94 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 四 电压 - 门极触发 (Vgt)(最大值) 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 25A、27A 电流 - 门极触发 (Igt)(最大值) 5 毫安 电流 - 保持 (Ih)(最大值) 10 毫安 配置...
- $2.27 USD
$0.00 USD- $2.27 USD
- Unit price
- / per
-
电气特性: 1.最大输出电流:2A。 2.输入电压:2V~24V。 3.最大输出电压:28V。 4.效率:最高93%。机械性能:产品尺寸:36毫米*17毫米*14毫米。使用方法:模块的IN+和-接2~24v,IN调节电位器可以调节输出电压,使输出电压大于输入电压。注意事项: 1.输入电压不要超过最大输入电压。 2.峰值电流输出电流不大于电大。
- From $1.17 USD
$0.00 USD- From $1.17 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A(铊) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 4.7 欧姆 @ 1A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $2.39 USD
$0.00 USD- $2.39 USD
- Unit price
- / per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A(Ta)、100A(Tc) 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏 Rds On(最大值)@ Id、Vgs 10.5毫欧姆@30A,10V Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 136 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $5.43 USD
$0.00 USD- $5.43 USD
- Unit price
- / per
-