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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 6.5A、10V 时为 480 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 47 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 250 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 500mV@100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 2A，5V 功率 - 最大 50 瓦 频率 - 过渡 30兆赫 工作温度 -65℃～150℃（高温）...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 8 伏 @ 3.3 安，10 安 电流 - 集电极截止（最大值） 700微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 20 @ 4安，4伏 功率 - 最大 75 瓦 频率...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.5欧姆@1.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） - 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 15A 时 850 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100V 时 1 毫安...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 200 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 10A 时 900 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 1 毫安 @ 200...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 10A 时为 850 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100 µA @ 100...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 5A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 5A 时 840 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100V 时 50µA 工作温度...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 45 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 20A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 600 毫伏 @ 20 安 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 1 毫安 @...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 12伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 8 毫安 电源抑制比 71分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220-3...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 5伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V @ 1A（典型值） 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 8 毫安 电源抑制比 73分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 十二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 400 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 3 伏 @ 3 安，12 安 电流 - 集电极截止（最大值） - 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 8 @ 5A，5V 功率 - 最大 2 瓦 频率 -...
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