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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 440 毫欧 @ 7.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十六 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 155A, 170A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 45 毫安...

产品名称：ATX电源输出板型号：XH-M229兼容端口：ATX（兼容部分BTX类型）转变：输出组数：四组不同电压尺寸：128*48*30毫米重量：63克

描述： 1.支持Google for Android ADK，支持Android手机：G1，Nexus One，Nexus S，Droid X （手机系统需升级至Android 2.3.4，平板电脑需升级至Android 3.1） 2.提供APK包，以及编译好的ADK源文件3.兼容arduino以下硬件：适用于 arduino Uno 328适用于 arduino Diecimila / Duemilanove 328适用于 arduino Mega 2560 (推荐)适用于 arduino Mega 1280 4. 实现arduino的USB HOST功能后，就可以和其他USB设备进行通讯了， 并支持USB HUB功能5.尺寸：38mm*18mm 6.电源：DC3.3V 7.接口：SPI

包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十二 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 95A、105A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 10 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 30 毫安 配置...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 650 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 34 纳克 电压 (最大值) ±30V...

电气性能：电气参数：JSN-SR04T工作电压：DC5V静态电流：5mA工作总电流：30mA声发射频率：40khz最远距离：4.5m百叶窗：25cm接线：+5V（电源正极）触发（控制侧）RX回声（接收器）TX GND（负极）模块尺寸：41mm*28.5mm分辨率：约0.5cm角度：小于50度工作温度：-10～70°存储温度：-20～80°产品特性： 1.体积小，使用方便； 2.低电压，低功耗； 3.准确度高； 4.抗干扰能力强； 5.一体化带线封闭防水探头，适合潮湿、恶劣的测量场合。应用： 1.水平距离； 2.避障、自动控制； 3. 物体接近，有感知4.交通管制； 5.安防、工控； 6. 人工智能及研究基本工作原理： （1）利用IO口TRIG触发定位，给至少10us的高电平信号； （2）模块自动发送8个40KHz方波，自动检测是否有信号返回； （3）有信号返回，通过IO口ECHO输出一个高电平，高电平持续的时间就是超声波从发射到返回的时间。测试距离=（高电平时间*声速（340M/S））/2；本模块使用方法简单，控制口接一个10US以上的高电平，接收口等待高电平输出即可。输出一个可以驱动定时器，当此口为低电平时可以读取定时器的值，此时为该位置的时间，即可算出距离。如此不断循环测试，即可以实现对移动值的测量。套餐包括： 1 件 * DC 5V 高精度超声波模块低功率距离测量传感器完美防水适用于 Arduino

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5欧姆@2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16.6 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2欧姆@2安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...

包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 六 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.5V @ 600mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值） 700微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 15 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 3兆赫 工作温度...

产品介绍： 1.输入电压：0.9-5V；输出电压：5V 2.最大输出电流：480mA 3.启动电压：0.8V；输出电流：7mA 4.输入电压：1-1.5V；输出电压5V；电流40-100mA 5.输入电压：1.5-2V；输出电压5V；电流100-150mA 6.输入电压：2-3V；输出电压5V；电流150-380mA 7.输入电压：>3V；输出电压5V；电流380-480mA 8.工作频率：150KHz 9.典型转换效率：85% 10.引脚间距：2.54mm 11.尺寸：11*10.5*7.5mm注意： 1.输入电压不能超过模块的额定电压，否则会烧毁模块2.输入功率应大于输出功率，否则输出电压将低于额定电压3.输出负载不得大于额定负载，否则输出电压将低于额定电压

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5.5A、10V 时为 380 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 52 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 六 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.5V @ 600mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值） 700微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 15 @ 3A，4V 功率 - 最大 65 瓦 频率 - 过渡 3兆赫 工作温度...

包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 165毫欧@10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...

包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 295 毫欧 @ 8.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 70 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 250 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 500mV@100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值） 10µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 2A，5V 功率 - 最大 50 瓦 频率 - 过渡 30兆赫 工作温度 -65℃～150℃（高温）...