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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 36 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.2 欧姆 @ 2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 22 纳克 电压 (最大值) ±30V...

RV8871 H 桥有刷直流电机驱动器分线板，适用于 Arduino PWM 控制，最大 3.6A 内部电流感应，6.5V 至 45V特征： H 桥电机驱动器- 驱动一台直流电机，一个绕组步进电机或其他负载)6.5V 至 45V 宽工作电压)565mΩ 典型 RDS(on) (HS + LS) )3.6A 峰值电流驱动)PWM控制接口)无检测电阻的电流调节)低功耗睡眠模式)小封装和占用空间- 带 PowerPAD 的 8 引脚 HSOP 4.9×6毫米)综合保护功能- VM 欠压锁定 (UVLO) - 过流保护 (OCP) - 热关断 (TSD) - 自动故障恢复应用： )打印机)家电)工业设备)其他机电应用 描述： DRV8871...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.4 欧姆 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 36 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.8 欧姆 @ 1.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.3 欧姆 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 2.5欧姆@2.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...

包装清单 10件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 330 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V@15V，70A 功率 - 最大 30.5 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 60纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220F-3

USB编程器状态：全新支持24EEPROM和25 SPI闪存8pin/16pin芯片USB转TTL接口，可在线获取root权限采用CH341A芯片自动识别25系列芯片并支持下载STC系列单片机程序带24/25状态指示灯SPI 引脚支持扩展实用程序颜色如图所示请注意，由于灯光效果、显示器亮度/对比度设置等原因，图片和实际物品的色调可能会略有不同！提供5V-3.3V电源输出尺寸：70mm x 27mm

包装清单 10件 IGBT类型 沟 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 330 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 200 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 1.8V @ 15V，50A 功率 - 最大 28.4 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 栅极电荷 44 纳克 Td（开/关）@25°C - 测试条件 - 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220F-3

热销 ACS712 5A 范围霍尔电流传感器模块 ACS712 模块适用于 Arduino 5A 1、电流传感器芯片ACS712ELC—05； 2、接5V电源针，板载电源灯亮； 3.5、可测量正负电流，模块对应模拟量输出185mV/A； 4、测试无电流通过，输出电压为VCC/2； 5、PCB板尺寸：31（mm）x13（mm）； 热销 ACS712 20A 范围霍尔电流传感器模块 ACS712 模块适用于 Arduino 20A 1、电流传感器芯片ACS712ELC—20； 2、接5V电源针，板载电源灯亮； 3.可测量30A正负电流，模块对应模拟量输出100mV/A； 4、测试无电流通过，输出电压为VCC/2； 5、PCB板尺寸：31（mm）x13（mm）； 热销 ACS712 30A 范围霍尔电流传感器模块 ACS712 模块适用于 Arduino 30A 1、电流传感器芯片ACS712ELC—30； 2、接5V电源针，板载电源灯亮； 3.可测量正负30A电流，模块对应模拟量输出100mV/A； 4、测试无电流通过，输出电压为VCC/2； 5、PCB板尺寸：31（mm）x13（mm）； 注意：ACS712是基于孔检测原理的，使用时请尽量避免磁场产生影响！

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 51A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 25.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 70 纳克 电压 (最大值) ±30V...

包装清单 5件 双向可控硅类型 标准 电压 - 关闭状态 800 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十六 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 140A, 150A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 60 毫安 配置 单身的...

AM2302湿敏电容数字温湿度模块a.有已校准的温湿度传感器数字复合信号输出。它专用的数字模块采集技术和温湿度传感器技术，确保产品具有极高的可靠性和优异的长期稳定性。包含一个电容式湿度传感器元件和一个高精度温度测量元件，并连接到高性能8位微控制器。因此该产品品质优良，响应超快，抗干扰能力强，性价比极高。每个传感器均在极其精确的湿度校准实验室内进行校准。校准系数以程序的形式存放在单片机内部，传感器在检测信号处理的过程中调用该校准系数。标准的单总线接口，使系统集成变得简单、快捷。 超小体积、低功耗，信号传输距离20米，使其成为各类应用程序甚至最苛刻的应用程序的最佳选择。产品为3个保险丝（单总线接口）连接方便。可根据用户要求提供特殊包装形式。规格：尺寸：约3.7*2.1cm电压：5V温度范围：-40~80℃+/-0.5℃湿度范围：20-90％RH+/-2％RH

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 33A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 94毫欧姆@16.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...

包装清单 10件 电压 - 关闭状态 800 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 15 毫安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.75 伏 电流 - 导通状态 (It (AV))（最大值） 7.5 一个 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 十二 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 20...

包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 230 毫欧 @ 10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 59.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...

描述：这是 LilyPad - 主板由带有 5V 的 ATmega328 组成。最新版本的 LilyPad 支持自动重置，使编程更加容易。 LilyPad 的背面现在完全平坦了！我们现在使用表面贴装编程连接器来防止接头戳穿。此版本的 LilyPad 现在使用新的 8MHz ATmega328。0016 支持 Pro Mini 328/8MHz/16MHZ。使用此新 LilyPad 328 时请使用此设置。 LilyPad 是一种可穿戴电子纺织技术，由 Leah Buechley 开发，由 Leah 和 SparkFun 合作设计。每个 LilyPad 都经过创造性设计，具有大型连接垫，可将其缝入衣服中。提供各种输入、输出、电源和传感器板。它们甚至可以清洗！购买指南！ 注：部分销售额将返还给 Leah Buechley 博士，用于电子纺织品的持续开发和教育，同时也将返还给 LLC，用于资助新工具和新 IDE 功能的持续开发。套餐包括： 1 块 LilyPad...