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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 380 毫欧 @ 4.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V @ 500µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 类型 控制器 (PD)、DC/DC 通道数 1 功率 - 最大 40 瓦 内部开关 两个都 辅助感官 不 标准 802.3at (PoE+)、802.3af (PoE) 电压 - 电源 0V～57V 供电 - 工作温度 -40℃～85℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 20-TSSOP（0.173 英寸，4.40 毫米宽）裸露焊盘 供应商器件封装 20-TSSOP-EP
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5A、10V 时为 750 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值） 100µA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 500mA，5V 功率 - 最大 1.5 瓦 频率 - 过渡 3兆赫 工作温度 -55℃～150℃（高温）...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5A、10V 时为 720 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 5件 二极管配置 1 对共阴极 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 200 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 30A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.2 伏 @ 30 安 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr) 28纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 840 毫欧 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 980 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 600 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V @ 350µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 双向可控硅类型 逻辑 - 敏感门 电压 - 关闭状态 600 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 八 一 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 1.5 伏 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) 65A、71A 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 5 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 10 毫安...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.22 欧姆 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.2V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值） 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 25 @ 1A，4V 功率 - 最大 40 瓦 频率 - 过渡 3兆赫...
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