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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.11 欧姆 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.1A、10V 时为 750 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V @ 310µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.25 欧姆 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5欧姆@2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 11 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 七 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 70 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 3.5V @ 3A，7A 电流 - 集电极截止（最大值） 1毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 30 @ 2A，4V 功率 - 最大 40 瓦 频率 - 过渡 10兆赫...
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包装清单 10件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.2V @ 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值） 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 3兆赫...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.2V @ 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值） 300微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 10 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 3兆赫...
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包装清单 10件 输出隔离 孤立 内部开关 不 击穿电压 - 拓扑 半桥 电压 - 启动 15.8 伏 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 9.5V～20V 占空比 50％ 频率 - 切换 20kHz～750kHz 故障保护 限流、开环、过载、过温、过压、短路 控制功能 - 工作温度 -40℃～125℃（温度范围） 封装/箱体 16-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽），14 根引线 供应商器件封装 16-SOIC 安装类型 表面贴装
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