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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 250 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 100 毫欧 @ 10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 55 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 19A（钇） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 170 毫欧 @ 9.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 53 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15.8A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 7.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V @ 790µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 38 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 8.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 39 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 内存类型 易挥发的 内存格式 动态随机存取记忆体 技术 同步动态随机存取记忆体 内存大小 512兆位 记忆组织 32 米 x 16 内存接口 平行线 时钟频率 143兆赫 写入周期时间 - 字、页 14纳秒 访问时间 5.4纳秒 电压 - 电源 3V～3.6V 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） 供应商器件封装 54-TSOP II
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 300 毫欧 @ 7.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 17 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 120 毫欧 @ 8.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 27 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 370 毫欧 @ 7.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 300 毫欧 @ 7.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 380 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 17 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 430 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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