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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 65A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16毫欧姆@32.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 65 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 55A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 26 毫欧 @ 27.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 98 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 22 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 41 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 5件 输出类型 1 通道（单声道） 最大输出功率 x 通道数 @ 负载 - 电压 - 电源 10V ～ 15V 特征 短路保护、关断 安装类型 表面贴装 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 供应商器件封装 16-SOIC 封装/箱体 16-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- $50.63 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 33A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 52毫欧姆@16.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 51 纳克 电压 (最大值) ±25V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 1个 LAB/CLB 数量 1139 逻辑元件/单元数量 14579 总 RAM 位数 589824 输入/输出数量 186 电压 - 电源 1.14V~1.26V 安装类型 表面贴装 工作温度 0℃～85℃（高温） 封装/箱体 256-LBGA 供应商器件封装 256-FTBGA（17x17）
- $42.19 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 32A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 35毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.80 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 27A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 13.5A、10V 时为 70 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 43 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 65A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.8毫欧姆@32.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 81 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 38.8A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧姆@19.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V@1.9mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 110 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
- $4.54 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 22A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11A、10V 时为 125 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 50 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $4.01 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 190 毫欧 @ 10A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5伏@1毫安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 27 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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