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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.4A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.3 欧姆 @ 2.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 35 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3欧姆@2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 78 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 15A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 280 毫欧 @ 9.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V @ 675µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 63 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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位数 16 采样率（每秒） 1.3 亿 输入数量 1 输入类型 微分 数据接口 LVDS - 并行，并行 配置 模拟/数字转换器 比率 - S/H:ADC 1:01 A/D 转换器的数量 1 建筑学 流水线 引用类型 外部内部 电压 - 电源，模拟 3.135V~3.465V 电压 - 电源，数字 3.135V~3.465V 特征 美国职业高尔夫球协会 工作温度 0℃～70℃ 封装/箱体 64-WFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 64-QFN（9x9） 安装类型...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Tc） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 380 毫欧 @ 7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V @ 500µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.2 欧姆 @ 2.2 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 31 纳克 电压...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.2A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.4 欧姆 @ 1.3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 18 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 1.5欧姆@1.5安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 22 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A（铊） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 600 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 22 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.2 欧姆 @ 2.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 8.7 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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