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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 84A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12毫欧姆@50A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 130 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.4 欧姆 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 3欧姆@1.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 24 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.8 欧姆 @ 2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 20 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 500 伏 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 一 Vce(on)（最大值）@Vge，Ic 10 伏@12 伏，300 安 功率 - 最大 45 瓦 转换能源 - 输入类型 标准 Td（开/关）@25°C 100纳秒/200纳秒 测试条件 300V，300A，30欧姆，12V 工作温度 -40℃～150℃（高温） 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 全封装 供应商器件封装 TO-220FL
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（铊） Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.6 欧姆 @ 1.1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 300 毫欧 @ 5.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 35 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 350 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 50µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 39 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.2A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 800 毫欧 @ 3.1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 700 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.5A、10V 时为 850 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 90 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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