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包装清单 10件 输出配置 消极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） -35 伏 电压 - 输出（最小/固定） -24 伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1A 电流 - 静态 (Iq) 6 毫安 电源抑制比 60分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 0℃～125℃ 安装类型 通孔...
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包装清单 10件 内存类型 非挥发性 内存格式 闪光 技术 闪存 - NAND（SLC） 内存大小 128兆位 记忆组织 16 米 x 8 内存接口 平行线 电压 - 电源 2.7V~3.6V 工作温度 0℃～70℃ 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 48-TSOP
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 14A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 380 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 47A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 22 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.4 欧姆 @ 2.15A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 35毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±16V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 12.5A、10V 时为 130 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 纳克 @ 10 伏 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 180 毫欧 @ 9A，5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 56 纳克（5 伏） 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 670 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12.5 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 53A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16.5毫欧姆@28A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 72 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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