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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.3A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.5A、10V 时为 234 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.9V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10.4 纳克@10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 80 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 100毫安 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.2 伏 @ 100 毫安 速度 小信号 =< 200mA (Io)，任意速度 反向恢复时间 (trr) 4纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr 100 nA...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN-预偏置 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 电阻器-基极（R1） 4.7千欧姆 电阻器 - 发射极基极（R2） 4.7千欧姆 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 30 @ 10 毫安，5 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） 500纳安 频率...
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包装清单 10件 类型 齐纳 双向通道 2 电压 - 反向断态（典型值） 12V（最大） 击穿电压（最小值） 14.2伏 电压 - 钳位（最大值）@ Ipp 37伏 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) 5安（8/20微秒） 功率 - 峰值脉冲 200 瓦 电力线保护 不 应用 一般用途 电容@频率 19pF @ 1MHz 工作温度 -65℃～150℃（环境温度） 年级 汽车 资格 车用电子元件质量认证 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 10件 引用类型 分流器 输出类型 可调节的 电压 - 输出（最小/固定） 1.24伏 电压 - 输出（最大） 6 伏 电流 - 输出 15 毫安 宽容 ±1% 温度系数 - 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 - 供电 - 电流 -...
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包装清单 20件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 3伏 电流 - 输出 5 毫安 宽容 ±0.1% 温度系数 50 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 85微伏峰值 噪音 - 10Hz 至 10kHz 60µVrms 电压 - 输入 3.2V ～ 12V 供电 70微安 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3...
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包装清单 20件 晶体管类型 PNP-预偏置 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 电阻器-基极（R1） 10千欧姆 电阻器 - 发射极基极（R2） 10千欧姆 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 30 @ 5 毫安，5 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） 500纳安 频率...
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包装清单 20件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 2.5伏 电流 - 输出 10 毫安 宽容 ±0.2% 温度系数 20 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 峰值电流 噪音 - 10Hz 至 10kHz 48µVrms 电压 - 输入 2.55V～5.5V 供电 135微安 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3...
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包装清单 20件 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 3伏 电流 - 输出 25 毫安 宽容 ±0.2% 温度系数 75 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz 峰值电流 噪音 - 10Hz 至 10kHz 94µVrms 电压 - 输入 3.05V～5.5V 供电 50微安 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.25A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 340 毫欧 @ 1.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA（最小值） 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 12 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 二极管配置 1 对串联连接 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 80 伏 电流 - 平均整流 (Io) （每个二极管） 100毫安 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.2 伏 @ 100 毫安 速度 小信号 =< 200mA (Io)，任意速度 反向恢复时间 (trr) 4纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr 80V 时...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 115 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 7.5欧姆@500mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 50 pF @ 25 V 场效应晶体管特性 -...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.8A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.6A、4.5V 时为 85 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1.2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 8.5 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 13.2伏 电压 - 输出（最小/固定） 3.3伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 0.725V @ 250mA 电流 - 输出 250毫安 静态电流 (Iq) 5微安 电源抑制比 44分贝（100赫兹） 控制功能 - 保护功能 过流、过温、短路 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.3A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 54毫欧姆@4.3A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.1V @ 10µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 6.9 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.7A、4.5V 时为 39 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±8V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 630 毫欧 @ 1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.9V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 6 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 40 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.3A、10V 时为 42 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 9 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 20件 类型 简单复位/上电复位 监测电压数量 1 电压 - 阈值 2.93伏 输出 推拉式，图腾柱 重置 低电平有效 重置超时 最低 140 毫秒 工作温度 -40℃～105℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧姆@4.2A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 6.2 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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