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包装清单 20件 引用类型 分流器 输出类型 固定的 电压 - 输出（最小/固定） 2.5伏 电流 - 输出 15 毫安 宽容 ±0.1% 温度系数 100 ppm/℃ 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz 35µVrms 电压 - 输入 - 供电 - 电流 - 阴极 65 微安 工作温度...
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$0.00 USD- $6.36 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.1A、4.5V 时为 46 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 1.1V @ 5微安 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 3.5 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.7A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 92毫欧姆@2.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 25µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5V 时为 2.5 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值) @...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 250毫欧@910毫安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 5 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 80 毫欧 @ 2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 9 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 92毫欧@2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 6.6 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 65 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 400mV@5mA、100mA 电流 - 集电极截止（最大值） 1微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 2 毫安，5 伏 功率 - 最大 200 毫瓦 频率 - 过渡 100兆赫...
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包装清单 20件 零件状态 过时的 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 50 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 173 毫安（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 15欧姆@100mA，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1伏@1毫安 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 10V 时为 25pF 场效应晶体管特性 - 功率耗散（最大） 830毫瓦（温度系数）...
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包装清单 20件 零件状态 过时的 晶体管类型 NPN-预偏置 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 电阻器-基极（R1） 2.2千欧姆 电阻器 - 发射极基极（R2） 47千欧 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 80 @ 10 毫安，5 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 300mV @ 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）...
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包装清单 20件 零件状态 不适用于新设计 传感器类型 模拟，本地 感测温度 - 本地 -40℃～125℃ 感应温度 - 远程 - 输出类型 模拟电压 电压 - 电源 4.5V～10V 解决 10毫伏/℃ 特征 - 准确度 - 最高（最低） ±3℃（±4℃） 测试条件 25℃（-40℃～125℃） 工作温度 -40℃～150℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 二 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 220 毫伏@50 毫安，2 安 电流 - 集电极截止（最大值） 100纳安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 200 @ 1A，2V 功率 - 最大 625 毫瓦 频率 - 过渡 165兆赫...
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包装清单 20件 类型 齐纳 单向通道 2 电压 - 反向断态（典型值） 5V（最大） 击穿电压（最小值） 6.4伏 电压 - 钳位（最大值）@ Ipp 20伏 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) 15安培（8/20微秒） 功率 - 峰值脉冲 260 瓦 电力线保护 不 应用 一般用途 电容@频率 152pF @ 1MHz 工作温度 -65℃～150℃（环境温度） 年级 汽车 资格 车用电子元件质量认证 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 20件 晶体管类型 NPN-预偏置 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 50 伏 电阻器-基极（R1） 10千欧姆 电阻器 - 发射极基极（R2） 10千欧姆 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 30 @ 5 毫安，5 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值） 1微安 频率...
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包装清单 20件 类型 齐纳 双向通道 2 电压 - 反向断态（典型值） 24V（最小） 击穿电压（最小值） 26.2伏 电压 - 钳位（最大值）@ Ipp 44伏 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) 8安（8/20微秒） 功率 - 峰值脉冲 350 瓦 电力线保护 不 应用 一般用途 电容@频率 30pF @ 1MHz 工作温度 -55℃～150℃（高温） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.1A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 160 毫欧 @ 2.1A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 3.3 纳克 电压 (最大值) ±12V...
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$0.00 USD- $1.64 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.7V、4.5V Rds On（最大值）@ Id、Vgs 250毫欧@930毫安，4.5伏 Vgs(th)（最大值）@Id 700mV @ 250µA（最小值） 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 3.9 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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$0.00 USD- $1.50 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 98毫欧@3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.61 USD
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包装清单 20件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 6伏 电压 - 输出（最小/固定） 1.2伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 0.96V@60mA 电流 - 输出 60毫安 电流 - 静态 (Iq) 3 微安 电源抑制比 - 控制功能 - 保护功能 过电流 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3...
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$0.00 USD- $1.03 USD
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包装清单 20件 引用类型 分流器 输出类型 可调节的 电压 - 输出（最小/固定） 1.24伏 电压 - 输出（最大） 十八 伏 电流 - 输出 100 毫安 宽容 ±1% 温度系数 - 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 - 供电 - 电流 -...
- $1.03 USD
$0.00 USD- $1.03 USD
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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