10 件 IRF540N N 沟道功率 MOSFET TO-220AB

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Product Type: 单个 FET、MOSFET
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包装清单 10
场效应晶体管类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压 (Vdss) 100 伏
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 33A(铊)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10伏
Rds On(最大值)@ Id、Vgs 44毫欧@16A,10V
Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 71 纳克
电压 (最大值) ±20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1960 pF @ 25 V
场效应晶体管特性 -
功率耗散(最大) 130瓦(热电阻)
工作温度 -55℃~175℃(高温)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/箱体 TO-220-3

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