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包装清单 | 10件 |
场效应晶体管类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压 (Vdss) | 500 伏 |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 5A(Ta) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10伏 |
Rds On(最大值)@ Id、Vgs | 1.7欧姆@2.5A,10V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4伏@1毫安 |
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | 10 V 时为 16 纳克 |
电压 (最大值) | ±30V |
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
场效应晶体管特性 | - |
功率耗散(最大) | 35瓦(热阻) |
工作温度 | 150°C(高温) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220SIS |
封装/箱体 | TO-220-3 全封装 |
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我们几乎可以发货到世界上任何地址。请注意,有些产品有限制,有些产品不能发货到国际目的地。
当您下订单时,我们会根据您的商品库存情况和您选择的送货方式为您估算发货和交货日期。根据您选择的送货服务提供商,发货日期估算可能会显示在运费报价页面上。
另请注意,我们销售的许多商品的运费都是基于重量的。任何此类商品的重量都可以在其详细信息页面上找到。为了反映我们使用的运输公司的政策,所有重量都将四舍五入到下一个整磅。
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