分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.43 欧姆 @ 2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.4V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 16 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.8A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 180 毫欧 @ 4.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 58 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 400 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.34A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5欧姆@670毫安，10伏 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 13 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 265毫欧姆（9A，10V） Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5A、10V 时为 258 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 39.5 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 5A、10V 时为 430 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 17 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.1欧姆@1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 5.3 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.5A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 4.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 450µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 19 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 370 毫欧 @ 8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 51 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 650 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6A、10V 时为 720 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 290 毫欧 @ 11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.9V@1mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 177 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
- $4.12 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 10A、10V 时为 290 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 54 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.45 USD
$0.00 USD- $3.45 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 500 毫欧 @ 6A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 75 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $5.51 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.5A、10V 时为 900 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 72 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.45 USD
$0.00 USD- $3.45 USD
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包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 38.8A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 65毫欧姆@19.4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V@1.9mA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 110 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds...
- $5.22 USD
$0.00 USD- $5.22 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7A（塔） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 600 毫欧 @ 3.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3.7V @ 350µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $4.33 USD
$0.00 USD- $4.33 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3.25A、10V 时为 400 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 29 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.15 USD
$0.00 USD- $3.15 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.8A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 180 毫欧 @ 5.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 70 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $3.66 USD
$0.00 USD- $3.66 USD
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 300 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.5A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 290 毫欧 @ 4.25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 40 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $3.83 USD
$0.00 USD- $3.83 USD
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