分立半导体产品 > 晶体管 > FET、MOSFET
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 850 毫欧 @ 4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 18 纳克 电压 (最大值) ±25V...
- $4.50 USD
$0.00 USD- $4.50 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 8.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 119 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $5.26 USD
$0.00 USD- $5.26 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 110A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 6.5毫欧姆@55A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 150 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.25 USD
$0.00 USD- $4.25 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 80 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9毫欧@50A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 100 纳克 @ 10 伏 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $5.09 USD
$0.00 USD- $5.09 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 68 五 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 98A（锝） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 9.8 毫欧 @ 40A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 75 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $3.20 USD
$0.00 USD- $3.20 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 75 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 80安培（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 11毫欧姆@40A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 160 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.98 USD
$0.00 USD- $2.98 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 14毫欧@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 75 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.98 USD
$0.00 USD- $2.98 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 18毫欧姆@27.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.56 USD
$0.00 USD- $2.56 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 26A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 13A、10V 时为 125 毫欧 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 45.5 纳克 电压 (最大值) ±25V...
- $5.34 USD
$0.00 USD- $5.34 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 550 毫欧 @ 4.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 92 纳克 电压 (最大值) ±30V...
- $5.34 USD
$0.00 USD- $5.34 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.8A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2欧姆@2.9A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60.5 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.67 USD
$0.00 USD- $4.67 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16毫欧姆@30A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 73 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.93 USD
$0.00 USD- $2.93 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 47A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 22 毫欧 @ 25A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 48 纳克 电压 (最大值) ±16V...
- $3.40 USD
$0.00 USD- $3.40 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id，Vgs 35毫欧@16A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时 25 纳克 电压 (最大值) ±16V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $3.03 USD
$0.00 USD- $3.03 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 60 毫欧 @ 11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 V 时为 15 纳克 电压 (最大值) ±16V...
- $4.25 USD
$0.00 USD- $4.25 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 200 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18A（热电偶） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 180 毫欧 @ 9A，5V Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 56 纳克（5 伏） 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss)...
- $4.50 USD
$0.00 USD- $4.50 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 55 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 53A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 16.5毫欧姆@28A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 72 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $2.97 USD
$0.00 USD- $2.97 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 800 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 3欧姆@2.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 78 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
- $4.75 USD
$0.00 USD- $4.75 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 5件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 1.2 欧姆 @ 3.7A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 60 纳克 电压 (最大值) ±20V...
- $3.45 USD
$0.00 USD- $3.45 USD
- Unit price
- per
-
包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.6A（温度系数） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.2 欧姆 @ 2.2 安，10 伏 Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 31 纳克 电压...
- $4.50 USD
$0.00 USD- $4.50 USD
- Unit price
- per
