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包装清单 10件 晶体管类型 PNP——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 2.5V@80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值） 50微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 2000 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度 150°C（高温）...
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包装清单 5件 核心处理器 STM8 核心尺寸 8 位 速度 16兆赫 连接 I2C、红外线、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、DMA、IR、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 18 程序存储器大小 8KB（8K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 256 x 8 RAM 大小 1K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～3.6V 数据转换器 模数转换器 10x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型...
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包装清单 10件 晶体管类型 NPN——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 八 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 2.5V@80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值） 50微安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 1000 @ 3A，4V 功率 - 最大 2 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度 -65℃～150℃（高温）...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 200 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.1 伏 @ 8 安 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr) 26纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr...
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包装清单 5件 核心尺寸 32 位单核 速度 32兆赫 连接 I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART、USB 外设 欠压检测/复位、电容感应、DMA、I2S、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 三十七 程序存储器大小 128KB（128K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 4K x 8 RAM 大小 32K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～3.6V 数据转换器 A/D 16x12b；D/A 2x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 10A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 20A 时 950 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 100V 时为 150µA 工作温度...
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包装清单 5件 开关类型 一般用途 输出数量 4 比率 - 输入：输出 0.042361111 输出配置 低端 输出类型 N 沟道 界面 串行外设接口 电压 - 负载 4.5V ～ 5.5V 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) - 电流 - 输出（最大） 2A 导通电阻（典型值） 250毫欧 输入类型 - 特征 - 故障保护 电流限制（固定）、开路负载检测、过热、过压 工作温度 -40℃～125℃（环境温度） 安装类型 表面贴装...
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包装清单 5件 核心处理器 STM8 核心尺寸 8 位 速度 16兆赫 连接 I2C、红外线、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、DMA、IR、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 三十 程序存储器大小 32KB（32K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 1K x 8 RAM 大小 2K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.8V～3.6V 数据转换器 A/D 22x12b；D/A 1x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度）...
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包装清单 10件 二极管配置 1 对共阴极 技术 肖特基 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 60 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 15A 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 15A 时 600 毫伏 速度 快速恢复 =< 500ns, > 200mA (Io) 电流 - 反向漏电流@Vr 60V 时为 480µA 工作温度...
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包装清单 5件 核心尺寸 32 位单核 速度 72兆赫 连接 CANbus、I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART、USB 外设 DMA、电机控制 PWM、PDR、POR、PVD、PWM、温度传感器、WDT 输入/输出数量 51 程序存储器大小 512KB（512K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 - RAM 大小 64K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 2V～3.6V 数据转换器 A/D 16x12b；D/A 2x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 500 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17A（铊） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 270 毫欧 @ 8.5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 100µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 119 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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包装清单 5件 核心尺寸 32 位单核 速度 32兆赫 连接 I2C、红外线、SPI、UART/USART 外设 欠压检测/复位、DMA、POR、PWM、WDT 输入/输出数量 二十七 程序存储器大小 64KB（64K x 8） 程序存储器类型 闪光 EEPROM 大小 2K x 8 RAM 大小 8K x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 1.65V～3.6V 数据转换器 模数转换器 10x12b 振荡器类型 内部的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装...
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