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包装清单 5件 放大器类型 零点漂移 电路数量 1 输出类型 轨对轨 转换速率 0.16伏/微秒 增益带宽积 350千赫 电流 - 输入偏置 70 帕 电压 - 输入失调 2微伏 供电 17微安 电流 - 输出/通道 5 毫安 电压 - 电源跨度（最小值） 1.8 伏 电压 - 电源跨度（最大） 5.5 伏 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154...
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包装清单 5件 用于测量 交流/直流 传感器类型 霍尔效应，开环 电流感应 20A 通道数 1 输出 比率测量，电压 灵敏度 200毫伏/安 频率 直流～80kHz 线性 ±1% 准确性 ±3％ 电压 - 电源 5伏 响应时间 5微秒 电流 - 电源（最大） 14毫安 工作温度 -40℃～150℃ 极化 单向 安装类型 表面贴装 封装/箱体 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽） 供应商器件封装 8-SOIC
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包装清单 10件 晶体管类型 PNP——达林顿 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 10 一 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 100 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 3V@40mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值） 2毫安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 5 安、4 伏时 1000 功率 - 最大 80 瓦 频率 - 过渡 - 工作温度...
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包装清单 10件 输出配置 积极的 输出类型 固定的 调节器数量 1 电压 - 输入（最大） 35伏 电压 - 输出（最小/固定） 12伏 电压 - 输出（最大） - 电压降（最大） 2V@1A（典型值） 电流 - 输出 1A 静态电流 (Iq) 8 毫安 电源抑制比 71分贝（120赫兹） 控制功能 - 保护功能 过热、短路 工作温度 -40℃～125℃ 安装类型 通孔 封装/箱体 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220-3...
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包裹 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 产品编号 P100-A3 P100-D3 P100-E3 P100-G2 P100-H3 P100-H5 P100-LM3 P100-Q2 P100-T3 R100-2W R100-3T R100-4S R100-4W 尖端直径 φ1.8毫米 φ1.8毫米...
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包裹 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 100 件 产品编号 P100-A2 P100-B1 P100-D2 P100-E2 P100-F1 P100-G1 P100-H2 P100-H4 P100-H6 P100-J1...
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包装清单 10件 功能 降压 输出配置 积极的 拓扑 巴克 输出类型 可调节的 输出数量 1 电压 - 输入（最小值） 2.5伏 电压 - 输入（最大） 5.5伏 电压 - 输出（最小/固定） 0.6伏 电压 - 输出（最大） 5伏 电流 - 输出 600毫安 频率 - 切换 1.5兆赫 同步整流器 是的 工作温度 -40℃～85℃（环境温度） 安装类型 表面贴装 封装/箱体 SC-74A,...
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规格 额定电压：AC250V 50～60Hz 额定电流：阻性负载5A/10A/16A 开关类型及极数：1 极开启器 IP防护等级：IP00 动作类型：1A 操作次数：10000次 绝缘材料PTI值：175V 接触电阻：≤50mΩ（原始状态） 绝缘电阻：>100MΩ(DC500V常态) 试验电压：≥1250V/1min（常态） 1 或 2 个温度控制开关 型号：KSD9700 材质：金属外壳 触点：NC（常闭）/NO（常开） 温度：15℃~155℃ 额定功率：250V 5A/10A/16A 导线长度：7.3cm/2.9" 头部尺寸：20 x 7.5 x 3.5mm/0.78" x 0.3" x 0.14"（长*宽*深） 产品应用适用于各种家用电器和电子产品。例如电动机、荧光镇流器、电池充电器、变压器、螺线管、加热垫、办公自动化机器等。 金属外壳类型产品外壳带电，应加绝缘外套。
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描述：工作电压：DC 2.8-6V（适合 3V 3.3V 3.7V 4.5V 5V 6V LED 驱动器）输出电流：30-1500MA最大输出功率：9W可驱动1-16个2.8-6V LED（最大电流不超过1.5A）电流调节：1通过可调电阻；2通过PWM信号控制芯片温度调节LED 过流保护工作温度范围尺寸：18 毫米 x 10.3 毫米 x 2.8 毫米重量：0.56克
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 100 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 52毫欧@11A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 94 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 450 毫欧 @ 5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 30 纳克 电压 (最大值) ±25V...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 600 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（高温） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 2.5欧姆@2A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 29 纳克 电压 (最大值) ±30V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 10件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 900 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.1A（热电阻） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 4.25 欧姆 @ 1.05A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 26 纳克 电压 (最大值) ±30V...
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