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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 40 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1V@50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 150 毫安，10 伏 功率 - 最大 250 毫瓦 频率 - 过渡 250兆赫...
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包装清单 50件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 800 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 60 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 1.6V@50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值） 20纳安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 150 毫安，10 伏 功率 - 最大 350 毫瓦 频率 - 过渡 200兆赫...
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包装清单 20件 晶体管类型 NPN 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 10伏 频率 - 过渡 8GHz 噪声系数 (dB 典型值 @ f) 1.3dB~2dB@1GHz~2GHz 获得 - 功率 - 最大 365毫瓦 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 50 @ 5 毫安，6 伏 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100毫安 工作温度 175°C（高温） 安装类型 表面贴装...
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包装清单 50件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 1.5 安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 25 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 500mV@80mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值） 100纳安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 120 @ 100 毫安，1 伏 功率 - 最大 200 毫瓦 频率 - 过渡 100兆赫...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 40 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 50 毫安时 750 毫伏，500 毫安时 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 150 毫安，1 伏 功率 - 最大 300 毫瓦...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 300 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 400 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 5 毫安时 750 毫伏，50 毫安时 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（电流导通电阻） 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 50 @ 10 毫安，10 伏 功率 - 最大 250 毫瓦...
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包装清单 50件 电压 - 关闭状态 600 伏 电压 - 门极触发 (Vgt)（最大值） 800 毫伏 电流 - 门极触发 (Igt)（最大值） 50 微安 电压 - 导通状态 (Vtm)（最大值） 1.5 伏 电流 - 导通状态 (It (RMS)) (最大值) 250 毫安 电流 - 保持 (Ih)（最大值） 5 毫安 电流 - 断态（最大值） 10 微安...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.2A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 250 毫欧 @ 1.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时 3.2 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 60 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.1A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 230 毫欧 @ 3A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 4.3 纳克 电压 (最大值) ±20V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 43毫欧@4A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 17.2 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 20件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 20 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、4.5伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 70毫欧@2A，4.5V Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时为 10 纳克 电压 (最大值) ±8V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 二极管配置 1 对共阴极 技术 标准 电压 - 直流反向 (Vr)（最大值） 100 伏 电流 - 平均整流电流 (Io) （每个二极管） 200 毫安（直流） 电压 - 正向 (Vf) (最大值) @ If 1.25 伏 @ 150 毫安 速度 小信号 =< 200mA (Io)，任意速度 反向恢复时间 (trr) 6纳秒 电流 - 反向漏电流@Vr 70V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 52毫欧姆@4.1A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 11 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 晶体管类型 NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 200 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 40 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 300mV@5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值） - 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 10 毫安，1 伏 功率 - 最大 350 毫瓦 频率 - 过渡 300兆赫...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 P 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 50毫欧@4A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.3V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 14 纳克 电压 (最大值) ±12V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.8A（电流值） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 28 毫欧 @ 5.8A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 1.45V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.5 V 时 7 纳克 电压 (最大值) ±12V...
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包装清单 50件 场效应晶体管类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压 (Vdss) 30 伏 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A（Ta） 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5伏、10伏 Rds On（最大值）@ Id、Vgs 31毫欧@5A，10V Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 250µA 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 10 V 时为 6.3 纳克 电压 (最大值) ±20V 输入电容 (Ciss) (最大值)...
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包装清单 50件 晶体管类型 即插即用 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600 毫安 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值） 40 伏 Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic 50 毫安时 750 毫伏，500 毫安时 电流 - 集电极截止（最大值） 100纳安 直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 100 @ 150mA，2V 功率 - 最大 350 毫瓦 频率 -...
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包装清单 10件 引用类型 分流器 输出类型 可调节的 电压 - 输出（最小/固定） 2.495伏 电压 - 输出（最大） 三十六 五 电流 - 输出 100 毫安 宽容 ±0.5% 温度系数 - 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 - 供电 - 电流 -...
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包装清单 20件 引用类型 分流器 输出类型 可调节的 电压 - 输出（最小/固定） 2.5伏 电压 - 输出（最大） 三十六 五 电流 - 输出 100 毫安 宽容 ±0.4% 温度系数 20ppm/°C（典型值） 噪音 - 0.1Hz 至 10Hz - 噪音 - 10Hz 至 10kHz - 电压 - 输入 - 供电 - 电流 -...
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