了解 SiC MOSFET 功率模块并确保其短路安全性
尽管硅长期以来一直是电力电子设备的主要半导体选择，但功率损耗、尺寸限制和最大允许结温等方面的新限制表明需要宽带隙半导体 (WBG) 及其研究。其中，碳化硅 (SiC) 因其高频开关能力和高温性能的结合而脱颖而出。尽管 SiC 具有诸多优势，但最近的研究表明 SiC 器件面临挑战，特别是在短路条件下，其性能与传统硅器件相比有所不足。 为了提高 SiC 功率器件的可靠性，了解短路条件下的故障机制至关重要。虽然 SiC 理论上由于其更宽的带隙而具有更高的热极限，但实际约束（例如更高的电流密度和更小的芯片面积）限制了其短路耐受能力。为了解决这个问题，提出了一种基于短路电流和栅极电压的新安全标准，为 SiC 器件提供了一种实用且经济有效的方法来定义短路安全操作区 (SCSOA)，这对于确保其在不同操作条件下的可靠性至关重要。 实验实施所需的要求 丹麦奥尔堡大学对两种商用 SiC MOSFET 功率模块（Cree 的 1.2 kV/300 A 和 Rohm...
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